这是诚芯微科技推出的一款集成GaN Mos的45W氮化镓快充参考设计，这款参考设计方案由初级氮化镓合封芯片CX75GD025E，同步整流控制器CX7539F和协议芯片CX2919C组成整套高效完整解决方案，是市面上一款极具高性价比的大功率氮化镓PD全套方案。

  45W集成GaN MOS全套PD方案参考设计得益于电源主控使用了合封氮化镓芯片，使得该方案设计的电路十分精简，有效降低了设计与加工成本，缩短生产周期，从而让PD快充充电器做到了“小体积、大功率、更高性价比”这一特点。

  45W集成GaN MOS全套PD方案参考设计模块整体小巧。

  输出端焊接协议小板，设有单 USB-C 接口。

  具体参数： 

  DEMO（L*W*H）:48*41*23mm

  TYPE-C单口输出：5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V2.25A 3.3-11V 3A 45W Max

  该套方案的核心元件是CX75GD025E合封氮化镓芯片，这是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于45W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。

  CX75GD025E集成了完备的保护功能，包括：Vcc欠压保护（UVLO）,Vcc过压保护（Vcc_OVP）,输入欠压保护（Brown in）,输入过压保护（Brown out）,输出过压保护（VO_OVP），FB开短路保护以及副边SR短路保护，CS开短路保护等。

  CX75GD025E提供了优良的电磁干扰性能,为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个很好的设计平台。

  CX75GD025E支持 9-40V 超宽范围供电，支持最高200KHz 开关频率，采用ESOP-10W 封装，芯片内置多重完善保护功能。

  同步整流控制器采用CX7539F，是一款针对离线式反激变换器的副边同步整流管 ( MOSFET ) 驱动的高性能控制器，并且 VCC 具有自供电功能，无需辅助绕组供电并支持宽输出电压范围。支持 High Side 或 Low Side 应用场景，支持 CCM/QR/DCM 工作模式。

  CX7539F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。

  CX7539F是一款内置高压 NMOSFET 同步整流开关，且具有极低的内阻，可提供系统高达5A以内的应用输出；IC通过检测集成 MOSFET 的源漏电压来决定其开关状态，能够兼容连续模式、非连续和准谐振工作模式的反激转换器。 

  CX7539F采用特有自供电技术，可保证在原边控制系统恒流和恒压两种工作状态下，芯片都不会欠压工作。

  诚芯微科技这款45W合封氮化镓快充方案设计全套芯片均为自家自主研发，集成度高且外围精简，待机功耗较低，非常适合快充电源应用。诚芯微科技针对 20W、30W、45W 、65W快充应用，推出了合封氮化镓芯片CX75GDXXXX系列。通过合封氮化镓的高集成设计，简化实际应用过程中的初级电路，让氮化镓快充的研发变得与传统硅快充一样简单。此外还减少了初级侧的外围器件数量，从而降低生产成本。